失效分析FA方法介紹

時間：2020-04-21

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
探針臺測試
2020年開年伊始就收到很多朋友對手動探針臺使用問題的咨詢，在此收集整理供手動探針臺相關信息供大家參考。一：手動探針臺用途：探針臺主要應用于半導體行業、光電行業、集成電路以及封裝的測試。廣泛應用于復雜、高速器件的精密電氣測量的研發，旨在確保質量及可靠性，并縮減研發時間和器件制造工藝的成本。手動探針臺的主要用途是為半導體芯片的電參數測試提供一個測試平臺，探針臺可吸附多種規格芯片，并提供多個可調
FIB功能介紹
FIB - SEM雙束系統在微電子領域的應用隨著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發展，器件及電路結構越來越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。基本原理： FIB - SEM雙束系統是指同時具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，FIB）和掃描電子顯微鏡（
FIB技術在失效中應用
FIB技術的在芯片設計及加工過程中的應用介紹： 1.IC芯片電路修改用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數，
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離