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半導體進入2納米時代 推動半導體業進步有兩個輪子,一個是尺寸縮小,另一個是硅片直徑增大,顯然尺寸縮小是主力,因為硅片直徑增大涉及整條生產線設備的更換。 現階段除了尺寸繼續縮小之外,利用成熟制程的特色工藝及*三代半導體等正風生水起,將開辟定律的另一片新的天地。 臺積電正討論在美國開建2納米工廠事項,目前的態勢分析這個決定不好下,因為市場與投資(可能約500億美元)兩個都是關鍵因素。 據閩臺地區《經濟
半導體技術公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗證 簡 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實驗室介紹。 分享時長:45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測中心,集成電
微量元素含量測試方法 近年來,元素含量測試儀器發展十分*,常見的測試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質譜(ICP-MS)等,由于各個儀器的技術方法存在局限性,如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個方面作簡要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
《半導體IC制造流程》 一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術較復雜且資金投入較多的過程 ,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達數百道,而其所需加工機臺**且昂貴,動輒數千萬一臺,其所需制造環境為為一溫度、濕度與 含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Room),雖
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
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