微量元素含量測試方法

時間：2020-04-30作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：168

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• 半導體進入2納米時代

  半導體進入2納米時代 推動半導體業進步有兩個輪子，一個是尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小是主力，因為硅片直徑增大涉及整條生產線設備的更換。 現階段除了尺寸繼續縮小之外，利用成熟制程的特色工藝及*三代半導體等正風生水起，將開辟定律的另一片新的天地。 臺積電正討論在美國開建2納米工廠事項，目前的態勢分析這個決定不好下，因為市場與投資（可能約500億美元）兩個都是關鍵因素。 據閩臺地區《經濟

• 芯片漏電分析手段被誤導了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認為只有OBIRCH，甚至現在可笑的是認為OBIRCH是一種設備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實只是一種技術，是早年日本NEC發明并申請了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內部有微小電流流過，同時在芯片表面用激光進行掃描。 激光掃描的同時，對微小電流進行監測，當激光掃到某個位置，電流發生較大變化，設備對這個點進行標記，也就是說這個位置即為

• 聚焦離子束FIB詳細介紹

  聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展*，而納米加工就是納米制造業的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

• FIB技術在失效中應用

  FIB技術的在芯片設計及加工過程中的應用介紹： 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數，