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詞條說明
一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH,甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù),是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是:給IC加上電壓,使其內(nèi)部有微小電流流過,同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí),對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè),當(dāng)激光掃到某個(gè)位置,電流發(fā)生較大變化,設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記,也就是說這個(gè)位置即為
微量元素含量測(cè)試方法 近年來,元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*,常見的測(cè)試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
金相試樣制備及常見問題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的重要方法,一般用來進(jìn)行失效分析(FA)、質(zhì)量控制(QC)、研發(fā)(RD)等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實(shí)的組織結(jié)構(gòu),需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來說,金相試樣制備的方法有:機(jī)械法(傳統(tǒng)意義上的機(jī)械制備--磨拋)、電解法(電解拋光和浸蝕)、化學(xué)法(化學(xué)浸蝕)、化學(xué)機(jī)械法(化學(xué)作用和機(jī)械作用同時(shí)去除材料)。 金相試樣制備的
PCB出口難轉(zhuǎn)向挖掘國(guó)內(nèi)市場(chǎng)
熬過了國(guó)內(nèi)疫情的難關(guān),再臨**疫情“失控”,對(duì)于國(guó)內(nèi)逐步復(fù)工復(fù)產(chǎn)的PCB產(chǎn)業(yè)來說,出口業(yè)務(wù)正遭遇著至暗時(shí)刻。 眾所周知,PCB作為電子信息產(chǎn)品制造的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),原本受宏觀經(jīng)濟(jì)周期波動(dòng)的影響較大;此次,較因海外疫情告急,短期內(nèi)或使**PCB產(chǎn)值受一定影響。 特別是中國(guó)作為**PCB產(chǎn)值**50%的國(guó)家,以出口業(yè)務(wù)為主的PCB廠商不在少數(shù),基于海外多國(guó)的封城封國(guó)舉措,國(guó)內(nèi)PCB廠商也正面臨著訂單流失、交付
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝
開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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