探針臺支援湖北

時間：2020-02-18作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：128

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  詞條說明

• 芯片測試方法匯總

  芯片失效分析檢測方法匯總 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 微電子失效分析方法總結

  微電子失效分析方法總結 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創 儀準科技 王福成 轉載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導等手段是工程人員經常采用的手段。多年來，在中國半導體產業有個誤區，認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導（laser scan Microscope). 目前激光誘導功能在業內普遍被采