殘余氣體分析儀應用于高溫真空爐, 實現質量保證和過程優化

時間：2023-04-12作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：98

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  詞條說明

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• HVA 真空閘閥在氣體管路系統應用

  因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。美國 HVA?真空閘閥在氣體管路系統應用半導體工廠, 太陽能光伏, LED, 鍍膜等行業在工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(真空管路)的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩定的供應到工藝設備內. 美國 HVA?真空閘閥廣泛用在氣體輸送環

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

• KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統

  上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,