國華三新—鵬城半導體簽約儀式在深圳舉行

時間：2022-01-18

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
第十七屆全國MOCVD學術會議與您太原相見！
2022年8月15日-18日，2022十七屆全國MOCVD學術會議選擇在中國·太原·湖濱國*際大酒店舉行。金屬**化學氣相淀積（MOCVD）技術自二十世紀六十年代提出以來，取*得了飛速進步，已經廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其**結構，較*大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發展及產業化，也成為半導體**晶格、**阱、**線、**點結構材料及相
中國材料大會|鵬城半導體技術（深圳）有限公司
會議時間：2024年7月8-11日會議地點：廣州白云國際會議中心主辦單位：中國材料研究學會“中國材料大會”是中國材料研究學會的學術年會，是重要的系列品牌會議之一，是中國新材料界學術水平較高、涉及領域較廣、*動態較新的****學術大會，是面向國家重大需求、推動新材料*重大突破的高水平品牌大會。為推動經濟社會高質量發展，加快建設科技強國，實現高水平科技自立自強，擬于2024年7月8-11日在廣東省廣
創芯未來鵬城半導體亮相第二屆碳基半導體材料與器件產業發展論壇
半導體行業技術高、進步快，一代產品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設備。**半導體設備市場集中度高，主要有美日荷廠商壟斷，國內自給率僅有 5%左右，國產替代空間巨大。尤其是隨著摩爾定律趨近極限，半導體行業技術進步放緩，國內廠商與****技術差距正在逐漸縮短，未來 3-5 年將是半導體設備國產替代黃金戰略機遇期。鵬城半導體技術（深圳）有限公司作為一家半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產制造集一體的
化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4