詞條
詞條說(shuō)明
失效分析技術(shù),失效分析實(shí)驗(yàn)室,失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過(guò)程。此過(guò)程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí),通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí),常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法,構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品
IC產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性測(cè)試 AA探針臺(tái) 2018-01-19 閱讀5914 質(zhì)量(Quality)和可靠性(Reliability)在一定程度上可以說(shuō)是IC產(chǎn)品的生命,好的品質(zhì),長(zhǎng)久的耐力往往就是一顆優(yōu)秀IC產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力所在。在做產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)我們往往會(huì)遇到三個(gè)問(wèn)題,驗(yàn)證什么,如何去驗(yàn)證,哪里去驗(yàn)證,這就是what, how , where 的問(wèn)題了。 解決了這三個(gè)問(wèn)題,質(zhì)量和可靠性就有了保證,制造商才
半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效,失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn),為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程,供大家參考。 一、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),屬于無(wú)損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含: 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X-Ray(X光檢測(cè)),屬于無(wú)損檢查: X-Ra
芯片封裝如何去除?---芯片開(kāi)封介紹 芯片開(kāi)封也就是給芯片做外科手術(shù),通過(guò)開(kāi)封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),開(kāi)封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開(kāi)封的含義:Decap即開(kāi)封,也稱開(kāi)蓋,開(kāi)帽,指給完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái),同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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