二極管模塊應如何選型呢？

時間：2020-06-27

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【德國西門康可控硅】可控硅分類
可控硅分類（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓
常用的熔斷器有哪些分類？
（1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設備的短路保護用。?（2）螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大，可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中，作短路保護。?（3）封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
可控硅調速原理
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有