可控硅調速原理

時間：2020-05-12

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
德國西門康可控硅你了解多少
德國西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了電子元器件中**的一員，而目前交流調壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點，對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。一、靈敏度雙向可控硅是一個三端元件，但我們不
熔斷器保險絲廠家
熔斷器又稱為保險絲，是用于保護電路的安全設備。它們安裝于各種供電設和負載之間，電流過高時便會觸發熔斷器工作(俗稱“燒斷”)，把負載從電源中斷開，減低過流造成設備損壞甚至引起火災的風險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換，這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復位的。不過保險絲價格便宜，而且容易替換。新的保險絲應該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成為各種應用的的**助
可控硅的作用介紹及檢測方法
1. 可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰