LPCVD設備

時間：2014-10-22

作者：青島福潤德微電子設備有限公司

詞條
詞條說明
等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD)
? 等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD) PECVD（等離子增強化學氣相淀積）設備是一種用于在基片上生成高質量SiNx和SiO2薄膜的**設備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調)，特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領域科研和生產不可缺少的設備。產品特點： 1、膜質量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機（易漏大氣而
立式真空爐
空爐（vacuum furnace）是真空環境中進行加熱的設備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統聯接。爐膛真空度可達133×(10-2～10-4)h。爐內加熱系統可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應加熱。較高溫度可達3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。目錄 1概述 2構造 3原理 4功能 5
鏈帶式焊接爐
鏈帶式焊接爐技術方案鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結的連續工作的隧道式結構熱處理爐。一、主要技術指標 1、設計溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設備總長度：約10600mm；進出口臺面各為：800mm。 6、加熱區長度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區長
擴散爐
擴散爐由控制系統、進出舟系統、爐體加熱系統和氣體控制系統等組成。控制系統控制部分包括：溫控器、功率部件、**溫保護部件、系統控制。系統控制部分有四個獨立的計算機控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴散/氧化系統的控制中心。擴散爐網絡控制輔助控制系統，包括推舟控制裝置、保護電路、電路轉接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風開關等。較**的擴散爐控制系統均已較新或升級到微