詞條
詞條說明
1、電磁閥類;2、磁性開關類;3、節流閥類;4、浮動接頭類;5、緩沖器類;6、氣缸類;7、真空發生器類;8、壓力開關類;9、調壓閥類;10、手動閥類;11、其它類。
IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術
1、系統概述現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導地位。由于科技進步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展,尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域,使半導體開發技術人員在市場需求下,對大功率元件的發展技術,持續在突破。半導體元件除了本身功能要良好之外,其
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