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日本京都大學(xué)工學(xué)院成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導(dǎo)體二極管器件,隨后又成功對**高壓環(huán)境下構(gòu)成功率變換電路的開關(guān)器件和整流器件實施了技術(shù)驗證。 研究組在高壓環(huán)境下通過采用避免電場集中的結(jié)構(gòu)設(shè)計和表面保護技術(shù),利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料實現(xiàn)了可
2012年全球前5大半導(dǎo)體廠資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達64%
2012年**半導(dǎo)體廠仍擴增資本支出,但集中在前幾大晶圓廠身上,涵蓋**前5大半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel)、臺積電、海力士(Hynix)和GlobalFoundries,其2012年的資本支出占**半導(dǎo)體資本支出達64%。 根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insights統(tǒng)計,2012年**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出約614億美元,相較于2011年656億美元約下滑6
高壓可控硅:高電壓環(huán)境下的電力控制*高壓可控硅作為半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的重要成員,以其**的高電壓耐受能力和精準的電流控制特性,在眾多工業(yè)和電力應(yīng)用中發(fā)揮著**的作用。深圳市凱高達科技有限公司憑借多年深耕半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的經(jīng)驗,研發(fā)生產(chǎn)的高壓可控硅產(chǎn)品已成為行業(yè)內(nèi)的成員,為各類高壓電力電子設(shè)備提供可靠支持。高壓可控硅的**特性高壓可控硅是專門為高電壓環(huán)境設(shè)計的半導(dǎo)體開關(guān)器件,能夠承受數(shù)千伏
廣東雙向可控硅研發(fā)與生產(chǎn)在現(xiàn)代電子科技飛速發(fā)展的浪潮中,半導(dǎo)體功率器件作為電子設(shè)備的**組件,正發(fā)揮著越來越重要的作用。其中,雙向可控硅以其*特的技術(shù)優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用場景,成為行業(yè)關(guān)注的焦點。作為一種能在正、反兩個方向上控制電流導(dǎo)通與關(guān)斷的半導(dǎo)體器件,雙向可控硅不僅突破了傳統(tǒng)單向可控硅的局限,還為電子電路的靈活控制提供了更多可能性。雙向可控硅的工作原理十分精妙。只需在控制較施加一個合適的觸發(fā)脈沖,
公司名: 深圳市凱高達科技有限公司
聯(lián)系人: 鄧帥
電 話: 0755-23318548
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