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詞條說明
功耗小,**。在圖1中的開關(guān)電源電路中,晶體管V在激勵信號的激勵下,它交替地工作在導通—截止和截止—導通的開關(guān)狀態(tài),轉(zhuǎn)換速度很快,頻率一般為50kHz左右,在一些技術(shù)**的地區(qū),可以做到幾百或者近1000kHz。這使得開關(guān)晶體管V的功耗很小,電源的效率可以大幅度地提高,其效率可達到80%。 ?????體積小,重量輕。從開關(guān)電源的原理框圖可以清楚
“十一五”規(guī)劃將對未來電源投資分布產(chǎn)生指導性影響
**領(lǐng)域下對電源市場的影響 2、** ①“十一五”規(guī)劃將對未來電源投資分布產(chǎn)生指導性影響 目前,全國和各級地方**的電子政務(wù)建設(shè)“十一五”規(guī)劃都還在**過程中。實現(xiàn)對現(xiàn)有系統(tǒng)有效整合,繼續(xù)提高信息資源開發(fā)利用水平,加強信息安全體系建設(shè)將是“十一五”期間電子政務(wù)建設(shè)的主要內(nèi)容。以上建設(shè)內(nèi)容對電源性能等指標都將不斷提出較高的要求。 ②電子政務(wù)評估體系的完善將成為為**信息化建設(shè)的外在動力 隨著電子政務(wù)
焦點一:功率半導體器件性能 1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“**級結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱**結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級,仍保持開關(guān)速度快的特點,是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時,電壓、電流額定值只有600V、2**。很長一段時間內(nèi),耐壓水平限于1200V~1700V,經(jīng)過長時間
大多數(shù)現(xiàn)代系統(tǒng)中主流的直流電源體系結(jié)構(gòu)是開關(guān)電源系統(tǒng),因為它能夠有效地應(yīng)對變化負載。典型SMPS的電能“信號通路”包括無源器件、有源器件和磁性元件。SMPS盡可能少地使用損耗性元器件(如電阻和線性晶體管),而主要使用(理想情況下)無損耗的元器件:開關(guān)晶體管、電容和磁性元件。 SMPS設(shè)備有一個控制部分,其中包括脈寬調(diào)節(jié)器、脈頻調(diào)節(jié)器以及反饋環(huán)路等。控制部分可能有自己的電源。圖1是簡化的SMPS示
公司名: 武漢翔雷電子有限公司
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