詞條
詞條說明
IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
特性。通過用萬用表檢測(cè)其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測(cè)出二極管是否損壞。1.極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極,測(cè)出一個(gè)結(jié)果后,對(duì)調(diào)兩表筆,再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中,有一次測(cè)量出的阻值較大(為反向電阻),一次測(cè)量出的阻值較?。檎螂娮瑁?。在阻值較小的一次測(cè)量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負(fù)極。2.單負(fù)導(dǎo)電性能
進(jìn)口晶閘管供應(yīng) 常見晶閘管特點(diǎn)用途介紹
進(jìn)口晶閘管供應(yīng)? 常見晶閘管特點(diǎn)用途介紹1、單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管(UJT)也稱雙基較二極管。從結(jié)構(gòu)功能上類似晶閘管,它是由1個(gè)PN結(jié)和兩只內(nèi)電阻構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件,有一個(gè)PN結(jié)和2個(gè)基較,具有電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于振蕩、定時(shí)、雙穩(wěn)電路及晶閘管觸發(fā)等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管(SCR)是由PNPN4層3個(gè)PN結(jié)組成的,它被廣泛用于可控整流、交流調(diào)壓、逆變器和開關(guān)電源電
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰
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