STN442D

時間：2021-02-25

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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STC4614
STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的特征N溝道40V／10.0A，RDS（ON）=?25mΩ（典型值）@?VGS?=?10V4
ST25N10 TO-252 N100V 12A 臺灣STANSON/司坦森
描述st25n10是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術。有了st16n10特別設計，以提高直流/直流轉換器的整體效率無論是同步或傳統的開關型脈寬調制控制器。它已被優化低柵較電荷，低的RDS(on)和快速開關速度。特征100V/12.0A，RDS(ON)= 40mΩ@ VGS = 10V100V/10.0A，RDS(ON)= 45mΩ@ VGS = 4.5V**高密度
STANSON原廠STP4407 參數P30V 10A
STP4407可替代APM4315K、AO4407、AO4335、Si4435DDY、產品說明STP4407是P通道邏輯增強型功率場效應晶體管采用高密度DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別適合于小化導通電阻。這些設備特別適合低電壓應用，如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電高壓側開關電路。產品參數：-30V/-10A，RDS(開)=15mΩ@VGS=-10V-30V/-6.0A，RDS(
肖特基二極管封裝_肖特基二極管作用
肖特基二極管是以其**肖特基博士研究生（Schottky）取名的，SBD是肖特基能隙二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的通稱。SBD并不是運用P型半導體與N型半導體觸碰產生PN結基本原理制做的，反而是運用金屬材料與半導體材料觸碰產生的金屬材料－半導體材料結基本原理制做的。因而，SBD也稱之為金屬材料－半導體材料（觸碰）二極管或表面能隙二極管，它是一種熱自由電子二極管