低功耗開關電源芯片5v開關電源ic

時間：2020-01-05

作者：深圳市驪微電子科技有限公司

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PN8368 內置mos充電器IC方案
PN8368產品描述：PN8368集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統獲得較
36W大功率PWM控制電源芯片AP8266
AP8266 IC 是一款高集成度的電流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待機功耗、低成本等特點。AP8266 IC 內置綠色的降頻工作模式，根據負載情況調節工作頻率，減少了開關損耗，從而獲得較低的待機功耗的較高的轉換效率。同時AP8266 IC 提供了豐富的保護，包括：逐周期過流保護、過壓保護、過壓箝位、欠壓鎖存、過溫保護、過載保護，同時具有軟啟動和間歇工作模式功能。一旦出現故障，芯片進入自動
內置mos同步整流芯片方案
PN8306M/H同步整流電源芯片，與PN8370、PN8386配合使用，輕松實現5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。?PN8306M?5v同步整流降壓芯片特性：1、適用于DCM/QR工作模式的反激變換器，效率提高3%以上；2、內置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型應用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法實現零直通炸機風險；4、
PN8306 5V同步整流芯片ic
PN8306產品描述：PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8306內置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉換效率并降低芯片溫度。PN8306處于開關工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開關電源系統。當芯片檢測到V SW <-400mV，控制器驅動功率MOSFET開啟；當芯片檢測到功率MOSFET流過的