HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 OLED 鍍膜機(jī)

時(shí)間：2023-05-23作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：144

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  詞條說(shuō)明

• 氦質(zhì)譜檢漏儀高溫真空燒結(jié)爐氣密性泄露檢測(cè)

  氦質(zhì)譜檢漏儀高溫真空燒結(jié)爐氣密性泄露檢測(cè)某客戶生產(chǎn)汽車過(guò)濾網(wǎng), 因高溫真空燒結(jié)爐氣密性不佳, 導(dǎo)致生產(chǎn)出的過(guò)濾網(wǎng)材料出現(xiàn)氧化質(zhì)量問(wèn)題, 經(jīng)過(guò)上海伯東推薦, 選用氦質(zhì)譜檢漏儀?ASM 340W 對(duì)真空燒結(jié)爐進(jìn)行檢漏, 真空模式下, 漏率 5X10-10?mar l/s. 經(jīng)過(guò)檢漏后的真空爐, 生產(chǎn)出的過(guò)濾網(wǎng)材料無(wú)氧化, 達(dá)到客戶工藝要求.高溫真空燒結(jié)爐氦質(zhì)譜檢漏法:金屬 (粉末)

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  某品牌?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門(mén)?11000, HVA?真空閥門(mén)安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時(shí)外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)不破壞系統(tǒng)真空,?只要對(duì)泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.E-Beam?鍍膜機(jī)設(shè)備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室,?電子,?進(jìn)樣室 

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備

  氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認(rèn)方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺(tái)上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)(約從 200nm 開(kāi)始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對(duì)立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用