徐州恒霄電子科技有限公司LPCVD 技術原理與基礎機制
- 時間：2025-07-15作者：徐州恒霄電子科技有限公司瀏覽：40
徐州恒霄電子科技有限公司專注于LPCVD低壓化學氣相沉積,PVD磁控濺射鍍膜機,IBE離子刻蝕機功率器件用等
詞條
詞條說明
LPCVD 技術是在 10-1000Pa 的低壓環(huán)境中，通過氣態(tài)反應物在加熱基片表面發(fā)生化學反應，實現(xiàn)固態(tài)薄膜沉積的工藝。其**原理包含四個關鍵步驟：首先是氣體輸運，將硅烷、氨氣、一氧化二氮等反應氣體精準引入反應腔室，為反應提供物質基礎；其次是表面吸附，在 400-800℃的基片表面，氣體分子經(jīng)物理與化學吸附形成吸附層，這是反應的前置條件；接著是化學反應，高溫下吸附的氣體分子分解或相互反應，生成二
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