薄膜開關(guān)生產(chǎn)廠家運(yùn)用特有的技術(shù)等功能

時(shí)間：2023-02-14作者：東莞市雨菲電子科技有限公司瀏覽：161

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  詞條說明

• 電子組裝廠講述銀漿價(jià)值與薄膜開關(guān)的電性能關(guān)系

  電子組裝廠講述銀漿**與薄膜開關(guān)的電性能關(guān)系 實(shí)踐證明，干燥不徹底的導(dǎo)電圖形往往要比干燥徹底的圖形阻值高幾十倍以上，因此，干燥質(zhì)量也是薄膜開關(guān)質(zhì)量的一個(gè)主要方面。此外，在開關(guān)的金屬銀的觸點(diǎn)上，要網(wǎng)印導(dǎo)電碳漿保護(hù)層，利用碳漿的特性，以利于觸點(diǎn)閉合后*分離，提高開關(guān)觸點(diǎn)的耐磨耗性，保證了開關(guān)觸點(diǎn)能夠承受數(shù)百萬次的接觸，保護(hù)底層金屬銀觸點(diǎn)不受氧化。 銀漿**昂貴其品質(zhì)又關(guān)系到薄膜開關(guān)的電性能，故應(yīng)謹(jǐn)慎

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• 薄膜開關(guān)廠家淺談薄膜中含有大量的位錯(cuò)的原因

  薄膜中含有大量的位錯(cuò)，位錯(cuò)密度通常可達(dá)10n^-10ucm-a，已達(dá)塊狀材料發(fā)生強(qiáng)塑性變形時(shí)位錯(cuò)密度的數(shù)量級(jí)，之所以產(chǎn)生如此多的位錯(cuò)，主要由下列原因引起: 薄膜中含有大量的位錯(cuò)的原因 (1)取向不同的小島在合并時(shí)，晶格交接處發(fā)生小角度扭曲。如果小島十分小，那么它們還可以稍稍移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)以消除取向的差別。如果小島比較大，則不可能消除扭曲，因而在兩微晶的接觸區(qū)域產(chǎn)生位錯(cuò)，如圖2-9所示。顯微鏡研究表明