國芯思辰｜地芯科技電壓基準源GREF0512兼容REF5010用于電力監控設備，超低溫漂10ppm/℃

時間：2022-10-21

作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司

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國芯思辰 | 可替代RFX2401C，國產射頻芯片GC1101可用于藍牙技術的網絡化傳感器中
通常在測控系統中，傳感器是信息的重要裝置，數據的采集全靠傳感器，被譽為“神經觸角”的它如何實現其網絡化，也是當前的熱點研究問題。隨著新興無線技術的發展，無線藍牙技術作為一種新的短距離無線通信協議，提供了一種無線數據與語音通信的開放標準，它具有許多特有的優勢：很強的移植性，可應用于多種通信場合。在硬件上集成應用簡單，，實現容易，且易于推廣；無線藍牙技術功耗低，對人體危害小；藍牙采用擴頻跳頻技術，抗干
國芯思辰｜電壓基準源GREF0530兼容德州儀器REF5030用于溫度數據采集系統，具有低溫漂低噪聲特性
眾所周知，在精密數據采集系統里，如果想要實現高分辨率，必須非常重視電壓基準源的噪聲。因為其噪聲占系統噪聲的比例與ADC滿量程的使用率成正比。因此選擇合適的電源基準源，對系統測量的精度、噪聲有重大影響。近日，國芯思辰就有一工程師設計的溫度數據采集系統，需要3V輸出的高精度、低噪聲的電壓基準源，為其高分辨率ADC提供基準電壓。為此，國芯思辰為其介紹國產地芯科技的高精度電壓基準源GREF0530，主要基
國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機，工作結溫-55~175℃
氫能發電機特指以氫氣為原料的發電機，原理類似傳統內燃機，經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動電機產生電流輸出。氫能發電機是一種環保型的發電設備，具有無噪音、零排放和移動性強的特點。其效率要求也非常高，但傳統的功率MOS已經很難滿足發電機高開關頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應用。某氫能發電機項目現需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS。可采用基本半導體的B1M0321
國芯思辰｜優晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制，滿足項目性能需求
YC40N04BDE是優晶的N溝道MOSFET，該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點，廣泛應用在DC/DC轉換、服務器的板載電源以及同步整流線路中。某工程師在PCR項目TEC控制部分需要用到4個N溝道場效應管來控制TEC，該工程師想要了解一些國產廠牌的MOS，因此國芯思辰給其介紹了優晶的N溝道場效應管YC40N04BDE。YC40N04BDE具有以下特點：1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術，VD